Micron Technology Inc. MT16HTF12864HY-40ED3
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MT16HTF12864HY-40ED3
1616-MT16HTF12864HY-40ED3
存储器 - 模块
200-SODIMM
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MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM
1最小包装量--
MT16HTF12864HY-40ED3详情
Micron Technology Inc. MT16HTF12864HY-40ED3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
200-SODIMM
表面安装
NO
引脚数
200
Memory Types
DDR2 SDRAM
包装
Bulk
已出版
2004
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Gold (Au)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
ZIG-ZAG
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
200
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1GB
端口的数量
1
速度
400MT/s
数据总线宽度
64b
组织结构
128MX64
内存宽度
64
记忆密度
8589934592 bit
最高频率
400MHz
访问模式
双库页面突发
高度
30mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT16HTF12864HY-40ED3拓展信息
Micron Technology Inc.
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