MT4HTF6464HZ-667H1
MT4HTF6464HZ-667H1

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Micron Technology Inc. MT4HTF6464HZ-667H1

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型号

MT4HTF6464HZ-667H1

utmel 编号

1616-MT4HTF6464HZ-667H1

商品类别

存储器 - 模块

封装

200-SODIMM

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM

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MT4HTF6464HZ-667H1
MT4HTF6464HZ-667H1 Micron Technology Inc. MODUL DDR2 SDRAM 512MB 200SODIMM

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MT4HTF6464HZ-667H1详情

Micron Technology Inc. MT4HTF6464HZ-667H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Socket

  • 包装/外壳

    200-SODIMM

  • 引脚数

    200

  • Memory Types

    DDR2 SDRAM

  • Number of Elements

    4

  • 已出版

    2010

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    200

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 最高工作温度

    70°C

  • 最小工作温度

    0°C

  • 附加功能

    WD-MAX

  • 端子位置

    ZIG-ZAG

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.8V

  • 端子间距

    0.6mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 引脚数量

    200

  • 工作电源电压

    1.8V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 最大电源电压

    1.9V

  • 最小电源电压

    1.7V

  • 内存大小

    512MB

  • 端口的数量

    1

  • 速度

    667MT/s

  • 时钟频率

    333MHz

  • 访问时间

    900 ns

  • 数据总线宽度

    64b

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    64

  • 待机电流-最大值

    0.028A

  • 最高频率

    667MHz

  • I/O类型

    COMMON

  • 刷新周期

    8192

  • 长度

    67.6mm

  • 座位高度(最大)

    30.15mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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右边的3个型号有着和Micron Technology Inc. & MT4HTF6464HZ-667H1相似的参数规格。

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MT4HTF6464HZ-667H1拓展信息

MT8KTF51264AZ-1G9P1
MT8KTF51264AZ-1G9P1

Micron Technology Inc.

MT18KSF1G72HZ-1G6P1
MT18KSF1G72HZ-1G6P1

Micron Technology Inc.

MT9HTF12872PZ-80EH1
MT9HTF12872PZ-80EH1

Micron Technology Inc.

MTA8ATF1G64AZ-2G6E1
MTA8ATF1G64AZ-2G6E1

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MT9HTF12872PKZ-80EH1
MT9HTF12872PKZ-80EH1

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MT18HTF25672AZ-667H1
MT18HTF25672AZ-667H1

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MT18HTF25672PZ-80EH1
MT18HTF25672PZ-80EH1

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MT18KSF1G72PDZ-1G6P1
MT18KSF1G72PDZ-1G6P1

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MT18HVF25672PZ-80EH1
MT18HVF25672PZ-80EH1

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MTA18ASF2G72PDZ-2G6E1
MTA18ASF2G72PDZ-2G6E1

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