Micron Technology Inc. MT16HTF25664HIZ-667H1
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MT16HTF25664HIZ-667H1
1616-MT16HTF25664HIZ-667H1
存储器 - 模块
200-SODIMM
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MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200SODIMM
1最小包装量--
MT16HTF25664HIZ-667H1详情
Micron Technology Inc. MT16HTF25664HIZ-667H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
200-SODIMM
表面安装
NO
引脚数
200
Memory Types
DDR2 SDRAM
Operating Temperature (Max.)
85°C
Operating Temperature (Min.)
-40°C
已出版
2012
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
200
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
GOLD
附加功能
SELF REFRESH; WD-MAX
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
ZIG-ZAG
终端形式
无铅
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.6mm
引脚数量
200
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.8V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
2GB
端口的数量
1
速度
667MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
333MHz
组织结构
256MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.112A
记忆密度
17179869184 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
访问模式
双库页面突发
长度
67.6mm
座位高度(最大)
30.15mm
宽度
3.8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT16HTF25664HIZ-667H1拓展信息
Micron Technology Inc.
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