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1

￥10703.547852
10

￥10351.593666
25

￥10279.63621
50

￥10208.178955
100

￥9998.216412
500

￥9283.394995

Micron Technology Inc. MT16HTS25664HY-667A1

Name: MT16HTS25664HY-667A1
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: 1616-MT16HTS25664HY-667A1
Price: 10703.55 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MT16HTS25664HY-667A1

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT16HTS25664HY-667A1

商品类别

存储器 - 模块

封装

200-SODIMM

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200SODIMM

起订量

--最小包装量--

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MT16HTS25664HY-667A1 Micron Technology Inc. MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200SODIMM

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MT16HTS25664HY-667A1详情

技术参数

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Micron Technology Inc. MT16HTS25664HY-667A1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

Socket
包装/外壳

200-SODIMM
引脚数

200
Memory Types

DDR2 SDRAM
Number of Elements

16
包装

Bulk
已出版

2004
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

200
端子表面处理

哑光锡
最高工作温度

70°C
最小工作温度

0°C
端子位置

DUAL
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
电源电压

1.8V
端子间距

0.6mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
工作电源电压

1.8V
温度等级

COMMERCIAL
最大电源电压

1.9V
最小电源电压

1.7V
内存大小

2GB
速度

667MT/s
时钟频率

333MHz
数据总线宽度

64b
组织结构

256MX64
输出特性

3-STATE
内存宽度

64
待机电流-最大值

0.112A
记忆密度

17179869184 bit
最高频率

667MHz
I/O类型

COMMON
刷新周期

8192
高度

30mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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MT16HTS25664HY-667A1拓展信息

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