Micron Technology Inc. MT16KSF51264HZ-1G4D1
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MT16KSF51264HZ-1G4D1
1616-MT16KSF51264HZ-1G4D1
存储器 - 模块
204-SODIMM
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DRAM Module DDR3 SDRAM 4Gbyte 204SODIMM Tray
1最小包装量--
MT16KSF51264HZ-1G4D1详情
Micron Technology Inc. MT16KSF51264HZ-1G4D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
204-SODIMM
引脚数
204
Memory Types
DDR3 SDRAM
Number of Elements
16
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
204
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
电源电压
1.35V
端子间距
0.6mm
工作电源电压
1.35V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
1.45V
最小电源电压
1.283V
内存大小
4GB
速度
1333MT/s
时钟频率
667MHz
组织结构
512MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
记忆密度
34359738368 bit
最高频率
1.333GHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT16KSF51264HZ-1G4D1拓展信息
Micron Technology Inc.
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