Micron Technology Inc. MT16VDDF12864HY-40BJ1
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MT16VDDF12864HY-40BJ1
1616-MT16VDDF12864HY-40BJ1
存储器 - 模块
200-SODIMM
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DRAM Module DDR SDRAM 1Gbyte 200SODIMM
1最小包装量--
MT16VDDF12864HY-40BJ1详情
Micron Technology Inc. MT16VDDF12864HY-40BJ1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
200-SODIMM
引脚数
200
Memory Types
DDR SDRAM
Number of Elements
16
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
电源电压
2.6V
端子间距
0.6mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
工作电源电压
2.6V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
2.7V
最小电源电压
2.5V
内存大小
1GB
速度
400MT/s
数据总线宽度
64b
组织结构
128MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.08A
记忆密度
8589934592 bit
最高频率
400MHz
访问时间(最大)
0.7 ns
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT16VDDF12864HY-40BJ1拓展信息
Micron Technology Inc.
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