Micron Technology Inc. MT16VDDF6464HG-335G2

包装/外壳

200-SODIMM

表面安装

NO

引脚数

200

Memory Types

DDR SDRAM

Operating Temperature (Max.)

70°C

包装

Bulk

已出版

2003

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

200

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

电源电压

2.5V

端子间距

0.6mm

Reach合规守则

not_compliant

资历状况

不合格

电源

2.5V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

512MB

速度

333MT/s

时钟频率

167MHz

组织结构

64MX64

输出特性

3-STATE

内存宽度

64

待机电流-最大值

0.064A

记忆密度

4294967296 bit

访问时间（最大）

0.7 ns

I/O类型

COMMON

刷新周期

8192

高度

38.1mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅