Micron Technology Inc. MT16VDDF6464HY-335G2

底架

Socket

包装/外壳

200-SODIMM

引脚数

200

Memory Types

DDR SDRAM

Number of Elements

16

包装

Bulk

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

200

最高工作温度

70°C

最小工作温度

0°C

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

电源电压

2.5V

端子间距

0.6mm

Reach合规守则

unknown

资历状况

不合格

工作电源电压

2.5V

温度等级

COMMERCIAL

最大电源电压

2.7V

最小电源电压

2.3V

内存大小

512MB

速度

333MT/s

组织结构

64MX64

输出特性

3-STATE

内存宽度

64

待机电流-最大值

0.064A

记忆密度

4294967296 bit

最高频率

333MHz

访问时间（最大）

0.7 ns

I/O类型

COMMON

刷新周期

8192

高度

38.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅