Micron Technology Inc. MT18VDDF6472DY-335G2
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MT18VDDF6472DY-335G2
1616-MT18VDDF6472DY-335G2
存储器 - 模块
184-RDIMM
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MODULE DDR SDRAM 512MB 184RDIMM
1最小包装量--
MT18VDDF6472DY-335G2详情
Micron Technology Inc. MT18VDDF6472DY-335G2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
184-RDIMM
表面安装
NO
Memory Types
DDR SDRAM
Operating Temperature (Max.)
70°C
已出版
2002
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
184
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Gold (Au)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
184
JESD-30代码
R-XDMA-N184
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
512MB
端口的数量
1
速度
333MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
64MX72
内存宽度
72
记忆密度
4831838208 bit
访问模式
双库页面突发
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT18VDDF6472DY-335G2拓展信息
Micron Technology Inc.
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