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Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

Name: MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: 1616-MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

商品类别

存储器

封装

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit

起订量

--最小包装量--

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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E详情

技术参数

Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-IT:E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

6 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装

YES
Memory Types

Non-Volatile
Usage Level

Industrial grade
操作温度

-40°C~85°C TA
包装

Tray
已出版

2013
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
终止次数

48
ECCN 代码

3A991.B.1.A
HTS代码

8542.32.00.51
电压 - 供电

2.7V~3.6V
端子位置

DUAL
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
功能数量

1
电源电压

3.3V
端子间距

0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
基本部件号

MT29F1G08
JESD-30代码

R-PDSO-G48
工作电源电压

3.3V
电源电压-最大值(Vsup)

3.6V
电源电压-最小值(Vsup)

2.7V
内存大小

1Gb 128M x 8
电源电流

35mA
访问时间

25 ns
内存格式

FLASH
内存接口

Parallel
组织结构

128MX8
内存宽度

8
地址总线宽度

28b
密度

1 Gb
同步/异步

Asynchronous
字长

8b
编程电压

2.7V
长度

18.4mm
座位高度(最大)

1.2mm
RoHS状态

ROHS3 Compliant

0个相似型号

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E拓展信息

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