Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4:E
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MT29F4G08ABAEAH4:E
1616-MT29F4G08ABAEAH4:E
存储器
63-VFBGA
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SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M x 8bit
--最小包装量--
MT29F4G08ABAEAH4:E详情
Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-VFBGA
引脚数
63
Memory Types
Non-Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Bulk
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
2.7V~3.6V
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT29F4G08
工作电源电压
3.3V
内存大小
4Gb 512M x 8
电源电流
15mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
地址总线宽度
30b
密度
4 Gb
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
页面尺寸
4kB
环境温度范围高
70°C
高度
1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT29F4G08ABAEAH4:E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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