MT29F4G08ABBDAH4-IT:D
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Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-IT:D

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型号

MT29F4G08ABBDAH4-IT:D

utmel 编号

1616-MT29F4G08ABBDAH4-IT:D

商品类别

存储器

封装

63-VFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M x 8bit 25ns 63-Pin VFBGA

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MT29F4G08ABBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M x 8bit 25ns 63-Pin VFBGA

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MT29F4G08ABBDAH4-IT:D详情

Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-IT:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    63-VFBGA

  • 引脚数

    63

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • Usage Level

    Industrial grade

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2011

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    63

  • 电压 - 供电

    1.7V~1.95V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.8V

  • 端子间距

    0.8mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    MT29F4G08

  • 工作电源电压

    1.8V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7V

  • 内存大小

    4Gb 512M x 8

  • 电源电流

    20mA

  • 访问时间

    25 ns

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    512MX8

  • 内存宽度

    8

  • 地址总线宽度

    1b

  • 密度

    4 Gb

  • 待机电流-最大值

    0.00005A

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    8b

  • 数据轮询

    NO

  • 拨动位

    NO

  • 命令用户界面

    YES

  • 扇区/尺寸数

    4K

  • 行业规模

    128K

  • 页面尺寸

    2kB

  • 准备就绪/忙碌

    YES

  • 高度

    1mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Micron Technology Inc. & MT29F4G08ABBDAH4-IT:D相似的参数规格。

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MT29F4G08ABBDAH4-IT:D拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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