MT29F8G08ABCBBH1-12:B
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Micron Technology Inc. MT29F8G08ABCBBH1-12:B

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型号

MT29F8G08ABCBBH1-12:B

utmel 编号

1616-MT29F8G08ABCBBH1-12:B

商品类别

存储器

封装

100-VBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 8Gbit 1G x 8bit 100-Pin VBGA

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MT29F8G08ABCBBH1-12:B详情

Micron Technology Inc. MT29F8G08ABCBBH1-12:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    100-VBGA

  • 引脚数

    100

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    100

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 电源电压

    1.8V

  • 端子间距

    1mm

  • 基本部件号

    MT29F8G08

  • 工作电源电压

    3.3V

  • 电源

    1.8V

  • 界面

    Parallel, Serial

  • 内存大小

    8Gb 1G x 8

  • 时钟频率

    83MHz

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    1GX8

  • 内存宽度

    8

  • 地址总线宽度

    30b

  • 密度

    8 Gb

  • 待机电流-最大值

    0.00005A

  • 访问时间(最大)

    20 ns

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    8b

  • 数据轮询

    NO

  • 拨动位

    NO

  • 扇区/尺寸数

    2K

  • 行业规模

    512K

  • 页面尺寸

    4kB

  • 准备就绪/忙碌

    YES

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Micron Technology Inc. MT29F8G08ABCBBH1-12:B.

MT29F8G08ABCBBH1-12:B拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
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Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

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M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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