MT41K512M8RH-125 M:E TR
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Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 M:E TR

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型号

MT41K512M8RH-125 M:E TR

utmel 编号

1616-MT41K512M8RH-125 M:E TR

商品类别

存储器

封装

78-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

起订量

1最小包装量--

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MT41K512M8RH-125 M:E TR
MT41K512M8RH-125 M:E TR Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K512M8RH-125 M:E TR详情

Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 M:E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    78-TFBGA

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~95°C TC

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 电压 - 供电

    1.283V~1.45V

  • 基本部件号

    MT41K512M8

  • 内存大小

    4Gb 512M x 8

  • 时钟频率

    800MHz

  • 访问时间

    13.75ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 M:E TR.

MT41K512M8RH-125 M:E TR拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

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M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

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MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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