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MT41K512M8V00HWC1
MT41K512M8V00HWC1

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Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1

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型号

MT41K512M8V00HWC1

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT41K512M8V00HWC1

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 4G PARALLEL DIE

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MT41K512M8V00HWC1
MT41K512M8V00HWC1 Micron Technology Inc. IC DRAM 4G PARALLEL DIE

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MT41K512M8V00HWC1详情

技术参数

Micron Technology Inc. MT41K512M8V00HWC1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~95°C TC

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 电压 - 供电

    1.283V~1.45V

  • 内存大小

    4Gb 512M x 8

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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MT41K512M8V00HWC1拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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型号：MT47H32M16HR-3:G

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型号：JS28F128P33TF70A

封装：56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

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