MT46V16M16TG-5G:F
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Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-5G:F

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型号

MT46V16M16TG-5G:F

utmel 编号

1616-MT46V16M16TG-5G:F

商品类别

存储器

封装

66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP

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MT46V16M16TG-5G:F
MT46V16M16TG-5G:F Micron Technology Inc. IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP

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MT46V16M16TG-5G:F详情

Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-5G:F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 安装类型

    表面贴装

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Box

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    2 (1 Year)

  • 终止次数

    66

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.24

  • 电压 - 供电

    2.5V~2.7V

  • 端子位置

    DUAL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    235

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    2.6V

  • 端子间距

    0.65mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    MT46V16M16

  • 引脚数量

    66

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G66

  • 资历状况

    不合格

  • 工作电源电压

    2.5V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.7V

  • 内存大小

    256Mb 16M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    200MHz

  • 访问时间

    700ps

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    16MX16

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 记忆密度

    268435456 bit

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 宽度

    10.16mm

  • 长度

    22.22mm

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    含铅

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技术文档: Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-5G:F.

MT46V16M16TG-5G:F拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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