Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B:M
- 收藏
- 对比
MT46V32M8P-5B:M
1616-MT46V32M8P-5B:M
存储器
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
大陆
立即发货

IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
--最小包装量--
MT46V32M8P-5B:M详情
Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B:M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
引脚数
66
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
66
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.5V~2.7V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.6V
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT46V32M8
工作电源电压
2.5V
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源
2.6V
内存大小
256Mb 32M x 8
端口的数量
1
时钟频率
200MHz
访问时间
700ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
15b
密度
256 Mb
待机电流-最大值
0.004A
最高频率
400MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
248
交错突发长度
248
长度
22.22mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT46V32M8P-5B:M拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.









哦! 它是空的。