MT47H16M16BG-5E:B
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Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-5E:B

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型号

MT47H16M16BG-5E:B

utmel 编号

1616-MT47H16M16BG-5E:B

商品类别

存储器

封装

84-FBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 84FBGA

起订量

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MT47H16M16BG-5E:B
MT47H16M16BG-5E:B Micron Technology Inc. IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 84FBGA

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MT47H16M16BG-5E:B详情

Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-5E:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    84-FBGA

  • 引脚数

    84

  • 供应商器件包装

    84-FBGA (8x14)

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~85°C TC

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    2 (1 Year)

  • 最高工作温度

    85°C

  • 最小工作温度

    0°C

  • 电压 - 供电

    1.7V~1.9V

  • 频率

    400MHz

  • 基本部件号

    MT47H16M16

  • 工作电源电压

    1.8V

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    1.9V

  • 最小电源电压

    1.7V

  • 内存大小

    256Mb 16M x 16

  • 电源电流

    140mA

  • 时钟频率

    200MHz

  • 访问时间

    600ps

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    16b

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 地址总线宽度

    15b

  • 密度

    256 Mb

  • 最高频率

    400MHz

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: Micron Technology Inc. MT47H16M16BG-5E:B.

MT47H16M16BG-5E:B拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
JS28F512M29EWHA

Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

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M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
M29W160ET70N6E

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PC28F00AM29EWHA
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