Micron Technology Inc. MT4HTF1664HY-40EB3
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MT4HTF1664HY-40EB3
1616-MT4HTF1664HY-40EB3
存储器 - 模块
200-SODIMM
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MOD DDR2 SDRAM 128MB 200SODIMM
1最小包装量--
MT4HTF1664HY-40EB3详情
Micron Technology Inc. MT4HTF1664HY-40EB3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
200-SODIMM
表面安装
NO
引脚数
200
Memory Types
DDR2 SDRAM
包装
Bulk
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
电源电压
1.8V
端子间距
0.6mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
工作电源电压
1.8V
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
128MB
速度
400MT/s
数据总线宽度
64b
组织结构
16MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.02A
记忆密度
1073741824 bit
最高频率
400MHz
访问时间(最大)
0.6 ns
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
高度
30mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT4HTF1664HY-40EB3拓展信息
Micron Technology Inc.
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