Micron Technology Inc. MT4HTF3264HY-40EB3
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MT4HTF3264HY-40EB3
1616-MT4HTF3264HY-40EB3
存储器 - 模块
200-SODIMM
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DRAM Module DDR2 SDRAM 256MByte 200SODIMM Tray
1最小包装量--
MT4HTF3264HY-40EB3详情
Micron Technology Inc. MT4HTF3264HY-40EB3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
200-SODIMM
表面安装
NO
引脚数
200
Memory Types
DDR2 SDRAM
Operating Temperature (Max.)
70°C
包装
Bulk
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
GOLD
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
ZIG-ZAG
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
200
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
256MB
端口的数量
1
速度
400MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
32MX64
内存宽度
64
记忆密度
2147483648 bit
访问时间(最大)
0.6 ns
访问模式
单库页面突发
高度
30mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT4HTF3264HY-40EB3拓展信息
Micron Technology Inc.
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