Micron Technology Inc. MT4HTF3264HZ-667G1
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MT4HTF3264HZ-667G1
1616-MT4HTF3264HZ-667G1
存储器 - 模块
200-SODIMM
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DRAM Module DDR2 SDRAM 256Mbyte 200SODIMM
1最小包装量--
MT4HTF3264HZ-667G1详情
Micron Technology Inc. MT4HTF3264HZ-667G1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
200-SODIMM
引脚数
200
Memory Types
DDR2 SDRAM
Number of Elements
4
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
200
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
电源电压
1.8V
端子间距
0.6mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
工作电源电压
1.8V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
1.9V
最小电源电压
1.7V
内存大小
256MB
速度
667MT/s
时钟频率
333MHz
数据总线宽度
64b
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.028A
最高频率
667MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT4HTF3264HZ-667G1拓展信息
Micron Technology Inc.
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