Micron Technology Inc. MT4HTF6464HY-667E1
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MT4HTF6464HY-667E1
1616-MT4HTF6464HY-667E1
存储器 - 模块
200-SODIMM
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DRAM Module DDR2 SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray
1最小包装量--
MT4HTF6464HY-667E1详情
Micron Technology Inc. MT4HTF6464HY-667E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
200-SODIMM
引脚数
200
Memory Types
DDR2 SDRAM
Number of Elements
4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
电源电压
1.8V
端子间距
0.6mm
Reach合规守则
unknown
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
1.9V
最小电源电压
1.7V
内存大小
512MB
速度
667MT/s
时钟频率
333MHz
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.028A
最高频率
667MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT4HTF6464HY-667E1拓展信息
Micron Technology Inc.
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