Micron Technology Inc. MT4VDDT3264HG-40BF2

包装/外壳

200-SODIMM

表面安装

NO

Memory Types

DDR SDRAM

Operating Temperature (Max.)

70°C

已出版

2003

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

200

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

电源电压

2.6V

端子间距

0.6mm

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PDMA-N200

资历状况

不合格

电源

2.6V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

256MB

速度

400MT/s

时钟频率

200MHz

组织结构

32MX64

输出特性

3-STATE

内存宽度

64

记忆密度

2147483648 bit

访问时间（最大）

0.7 ns

I/O类型

COMMON

刷新周期

8192

RoHS状态

Non-RoHS Compliant