Micron Technology Inc. MT4VDDT3264HY-40BF2
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MT4VDDT3264HY-40BF2
1616-MT4VDDT3264HY-40BF2
存储器 - 模块
200-SODIMM
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MODULE DDR SDRAM 256MB 200SODIMM
1最小包装量--
MT4VDDT3264HY-40BF2详情
Micron Technology Inc. MT4VDDT3264HY-40BF2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
200-SODIMM
引脚数
200
Memory Types
DDR SDRAM
Number of Elements
4
包装
Bulk
已出版
2003
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
GOLD
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.6V
端子间距
0.6mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
200
资历状况
不合格
工作电源电压
2.6V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
2.7V
最小电源电压
2.5V
内存大小
256MB
端口的数量
1
速度
400MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
900 ns
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
最高频率
400MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
高度
31.8mm
长度
67.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT4VDDT3264HY-40BF2拓展信息
Micron Technology Inc.
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