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Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR

Name: MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: 1616-MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR
Availability: InStock
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对比

型号

MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR

商品类别

存储器

封装

200-WFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM LPDDR4 WFBGA

起订量

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MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM LPDDR4 WFBGA

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MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR详情

技术参数

Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

200-WFBGA
Memory Types

Volatile
操作温度

-30°C~85°C
包装

Tape & Reel (TR)
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)
电压 - 供电

0.6V 1.1V
内存大小

8Gb 256M x 32
时钟频率

1.866GHz
内存格式

DRAM
RoHS状态

ROHS3 Compliant

0个相似型号

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