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MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR
MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR

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Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR

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型号

MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR

商品类别

存储器

封装

200-WFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM LPDDR4 WFBGA

起订量

1最小包装量--

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MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR
MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM LPDDR4 WFBGA

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MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR详情

技术参数

Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    200-WFBGA

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -30°C~85°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 电压 - 供电

    0.6V 1.1V

  • 内存大小

    8Gb 256M x 32

  • 时钟频率

    1.866GHz

  • 内存格式

    DRAM

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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库存：5000

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