Micron Technology Inc. MT8HTF12864HDZ-800H1
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MT8HTF12864HDZ-800H1
1616-MT8HTF12864HDZ-800H1
存储器 - 模块
200-SODIMM
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MODULE DDR2 SDRAM 1GB 200SODIMM
1最小包装量--
MT8HTF12864HDZ-800H1详情
Micron Technology Inc. MT8HTF12864HDZ-800H1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
200-SODIMM
底架
Socket
引脚数
200
Number of Elements
8
Memory Types
DDR2 SDRAM
已出版
2010
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
GOLD
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
SELF REFRESH; WD-MAX
端子位置
ZIG-ZAG
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.45mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
200
工作电源电压
1.8V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
1.9V
最小电源电压
1.7V
内存大小
1GB
端口的数量
1
速度
800MT/s
时钟频率
400MHz
数据总线宽度
64b
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.056A
最高频率
800MHz
访问时间(最大)
0.4 ns
I/O类型
COMMON
访问模式
双库页面突发
长度
67.6mm
座位高度(最大)
30.15mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
MT8HTF12864HDZ-800H1拓展信息
Micron Technology Inc.
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