Micron Technology Inc. MT8KTF51264AZ-1G9E1
- 收藏
- 对比
MT8KTF51264AZ-1G9E1
1616-MT8KTF51264AZ-1G9E1
存储器 - 模块
240-UDIMM
大陆
立即发货

DRAM Module DDR3L SDRAM 4Gbyte 240UDIMM
1最小包装量--
MT8KTF51264AZ-1G9E1详情
Micron Technology Inc. MT8KTF51264AZ-1G9E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
240-UDIMM
引脚数
240
Memory Types
DDR3L SDRAM
Number of Elements
8
已出版
2015
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
240
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
电源电压
1.35V
端子间距
1mm
资历状况
不合格
电源
1.35V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
1.45V
最小电源电压
30V
内存大小
4GB
速度
1866MT/s
时钟频率
933MHz
组织结构
512MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.144A
最高频率
1.866GHz
访问时间(最大)
0.195 ns
I/O类型
COMMON
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT8KTF51264AZ-1G9E1拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。