Micron Technology Inc. MT8KTF51264HZ-1G9E1
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MT8KTF51264HZ-1G9E1
1616-MT8KTF51264HZ-1G9E1
存储器 - 模块
204-SODIMM
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DRAM Module DDR3L SDRAM 4Gbyte 204SODIMM
1最小包装量--
MT8KTF51264HZ-1G9E1详情
Micron Technology Inc. MT8KTF51264HZ-1G9E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
204-SODIMM
引脚数
204
Memory Types
DDR3L SDRAM
Number of Elements
8
已出版
2015
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
工作电源电压
1.35V
最大电源电压
1.45V
最小电源电压
1.283V
内存大小
4GB
速度
1866MT/s
数据总线宽度
64b
最高频率
1.866GHz
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT8KTF51264HZ-1G9E1拓展信息
Micron Technology Inc.
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