Micron Technology Inc. MT8KTF51264HZ-1G9E5
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MT8KTF51264HZ-1G9E5
1616-MT8KTF51264HZ-1G9E5
存储器 - 模块
204-SODIMM
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MODULE DDR3L SDRAM 4GB 204SODIMM
1最小包装量--
MT8KTF51264HZ-1G9E5详情
Micron Technology Inc. MT8KTF51264HZ-1G9E5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
204-SODIMM
表面安装
NO
引脚数
204
Memory Types
DDR3L SDRAM
包装
Bulk
已出版
2015
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
204
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
电源电压
1.35V
端子间距
0.6mm
电源
1.35V
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
4GB
速度
1866MT/s
时钟频率
933MHz
数据总线宽度
64b
组织结构
512MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.144A
记忆密度
34359738368 bit
最高频率
934.5MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT8KTF51264HZ-1G9E5拓展信息
Micron Technology Inc.
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