Micron Technology Inc. MT9HTF6472RHY-667D1
- 收藏
- 对比
MT9HTF6472RHY-667D1
1616-MT9HTF6472RHY-667D1
存储器 - 模块
200-SORDIMM
大陆
立即发货

MOD DDR2 SDRAM 512MB 200SORDIMM
1最小包装量--
MT9HTF6472RHY-667D1详情
Micron Technology Inc. MT9HTF6472RHY-667D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
200-SORDIMM
表面安装
NO
引脚数
200
Memory Types
DDR2 SDRAM
Operating Temperature (Max.)
70°C
已出版
2010
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
电源电压
1.8V
端子间距
0.6mm
Reach合规守则
unknown
资历状况
不合格
电源
1.8V
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
512MB
速度
667MT/s
时钟频率
333MHz
组织结构
64MX72
输出特性
3-STATE
内存宽度
72
待机电流-最大值
0.063A
记忆密度
4831838208 bit
访问时间(最大)
0.45 ns
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT9HTF6472RHY-667D1拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。