Micron Technology Inc. MT9KDF51272AZ-1G4E1
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MT9KDF51272AZ-1G4E1
1616-MT9KDF51272AZ-1G4E1
存储器 - 模块
240-UDIMM
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DRAM Module DDR3L SDRAM 4Gbyte 240UDIMM
1最小包装量--
MT9KDF51272AZ-1G4E1详情
Micron Technology Inc. MT9KDF51272AZ-1G4E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
240-UDIMM
引脚数
240
Memory Types
DDR3L SDRAM
Number of Elements
9
已出版
2015
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
240
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V SUPPLY; WD-MAX
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
功能数量
1
电源电压
1.35V
端子间距
1mm
Reach合规守则
unknown
电源电压-最大值(Vsup)
1.45V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.283V
内存大小
4GB
端口的数量
1
速度
1333MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
512MX72
内存宽度
72
记忆密度
38654705664 bit
最高频率
1.333GHz
访问模式
单库页面突发
长度
133.35mm
座位高度(最大)
30.5mm
宽度
2.7mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT9KDF51272AZ-1G4E1拓展信息
Micron Technology Inc.
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