Micron Technology Inc. MT9VDDT6472AY-335D1
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MT9VDDT6472AY-335D1
1616-MT9VDDT6472AY-335D1
存储器 - 模块
184-UDIMM
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MODULE DDR SDRAM 512MB 184UDIMM
1最小包装量--
MT9VDDT6472AY-335D1详情
Micron Technology Inc. MT9VDDT6472AY-335D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
184-UDIMM
表面安装
NO
引脚数
184
Memory Types
DDR SDRAM
Operating Temperature (Max.)
70°C
已出版
2003
JESD-609代码
e4
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
184
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
GOLD
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
184
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
电源
2.5V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
512MB
端口的数量
1
速度
333MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
167MHz
组织结构
64MX72
输出特性
3-STATE
内存宽度
72
待机电流-最大值
0.045A
记忆密度
4831838208 bit
访问时间(最大)
0.7 ns
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
访问模式
单库页面突发
长度
133.35mm
座位高度(最大)
3.18mm
宽度
31.75mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT9VDDT6472AY-335D1拓展信息
Micron Technology Inc.
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