Micron Technology Inc. MT9VDDT6472HY-335F2
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MT9VDDT6472HY-335F2
1616-MT9VDDT6472HY-335F2
存储器 - 模块
200-SODIMM
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MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
1最小包装量--
MT9VDDT6472HY-335F2详情
Micron Technology Inc. MT9VDDT6472HY-335F2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
200-SODIMM
引脚数
200
Memory Types
DDR SDRAM
Number of Elements
9
包装
Bulk
已出版
2002
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
200
端子表面处理
GOLD
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
ZIG-ZAG
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.6mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
200
工作电源电压
2.5V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
2.7V
最小电源电压
2.3V
内存大小
512MB
端口的数量
1
速度
333MT/s
时钟频率
166MHz
组织结构
64MX72
输出特性
3-STATE
内存宽度
72
待机电流-最大值
0.045A
记忆密度
4831838208 bit
最高频率
333MHz
访问时间(最大)
0.7 ns
I/O类型
COMMON
访问模式
单库页面突发
高度
31.8mm
长度
67.6mm
宽度
31.75mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT9VDDT6472HY-335F2拓展信息
Micron Technology Inc.
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