对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 已出版 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 端子位置 | 功能数量 | 电源电压 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 内存大小 | 端口的数量 | 速度 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 内存宽度 | 记忆密度 | 最高频率 | 访问模式 | 座位高度(最大) | 长度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | |
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![]() | MT9VDDT6472HY-335J1 | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 200-SODIMM | NO | 200 | DDR SDRAM | 2003 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 200 | EAR99 | 70°C | 0°C | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | 8542.32.00.36 | ZIG-ZAG | 1 | 2.5V | 2.5V | 2.7V | COMMERCIAL | 2.3V | 512MB | 1 | 333MT/s | 72b | 64MX72 | 72 | 4831838208 bit | 333MHz | 单库页面突发 | 31.9mm | 67.6mm | 无 | ROHS3 Compliant |



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