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'mt9vddt6472hy335j1'

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品牌

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库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

包装/外壳

表面安装

引脚数

已出版

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

最高工作温度

最小工作温度

附加功能

HTS代码

端子位置

功能数量

电源电压

工作电源电压

电源电压-最大值(Vsup)

温度等级

电源电压-最小值(Vsup)

内存大小

端口的数量

速度

数据总线宽度

组织结构

内存宽度

记忆密度

最高频率

访问模式

座位高度(最大)

长度

辐射硬化

RoHS状态

MT9VDDT6472HY-335J1
MT9VDDT6472HY-335J1
Micron Technology Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

200-SODIMM

NO

200

DDR SDRAM

2003

Obsolete

3 (168 Hours)

200

EAR99

70°C

0°C

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

8542.32.00.36

ZIG-ZAG

1

2.5V

2.5V

2.7V

COMMERCIAL

2.3V

512MB

1

333MT/s

72b

64MX72

72

4831838208 bit

333MHz

单库页面突发

31.9mm

67.6mm

无

ROHS3 Compliant