Micron Technology Inc. MT9VDDT6472HY-335J1
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MT9VDDT6472HY-335J1
1616-MT9VDDT6472HY-335J1
存储器 - 模块
200-SODIMM
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MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
1最小包装量--
MT9VDDT6472HY-335J1详情
Micron Technology Inc. MT9VDDT6472HY-335J1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
200-SODIMM
表面安装
NO
引脚数
200
Memory Types
DDR SDRAM
已出版
2003
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
200
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
ZIG-ZAG
功能数量
1
电源电压
2.5V
工作电源电压
2.5V
电源电压-最大值(Vsup)
2.7V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
512MB
端口的数量
1
速度
333MT/s
数据总线宽度
72b
组织结构
64MX72
内存宽度
72
记忆密度
4831838208 bit
最高频率
333MHz
访问模式
单库页面突发
长度
67.6mm
座位高度(最大)
31.9mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT9VDDT6472HY-335J1拓展信息
Micron Technology Inc.
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