Micron Technology Inc. MT9VDDT6472HY-40BF2

底架

Socket

包装/外壳

200-SODIMM

引脚数

200

Memory Types

DDR SDRAM

Number of Elements

9

包装

Bulk

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

200

最高工作温度

70°C

最小工作温度

0°C

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

电源电压

2.6V

端子间距

0.6mm

Reach合规守则

unknown

资历状况

不合格

工作电源电压

2.5V

电源

2.6V

温度等级

COMMERCIAL

最大电源电压

2.7V

最小电源电压

2.3V

内存大小

512MB

速度

400MT/s

组织结构

64MX72

输出特性

3-STATE

内存宽度

72

待机电流-最大值

0.045A

记忆密度

4831838208 bit

最高频率

400MHz

访问时间（最大）

0.7 ns

I/O类型

COMMON

高度

31.8mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅