Micron Technology Inc. MT9VDVF6472G-335F1
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MT9VDVF6472G-335F1
1616-MT9VDVF6472G-335F1
存储器 - 模块
184-RDIMM
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MODULE DDR SDRAM 512MB 184RDIMM
1最小包装量--
MT9VDVF6472G-335F1详情
Micron Technology Inc. MT9VDVF6472G-335F1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
184-RDIMM
表面安装
NO
引脚数
184
Memory Types
DDR SDRAM
包装
Bulk
已出版
2003
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
184
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
电源电压
2.5V
端子间距
1.27mm
工作电源电压
2.5V
温度等级
COMMERCIAL
内存大小
512MB
速度
333MT/s
时钟频率
166MHz
数据总线宽度
72b
组织结构
64MX72
输出特性
3-STATE
内存宽度
72
待机电流-最大值
0.045A
记忆密度
4831838208 bit
最高频率
333MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
高度
18mm
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
MT9VDVF6472G-335F1拓展信息
Micron Technology Inc.
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