Micron Technology Inc. MTA4ATF51264HZ-3G2E1
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MTA4ATF51264HZ-3G2E1
1616-MTA4ATF51264HZ-3G2E1
存储器 - 模块
260-SODIMM
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MODULE DDR4 SDRAM 4GB 260SODIMM
--最小包装量--
MTA4ATF51264HZ-3G2E1详情
Micron Technology Inc. MTA4ATF51264HZ-3G2E1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
11 Weeks
包装/外壳
260-SODIMM
表面安装
NO
Memory Types
DDR4 SDRAM
Operating Temperature (Max.)
95°C
零件状态
活跃
终止次数
260
ECCN 代码
EAR99
附加功能
WD-MAX
端子位置
ZIG-ZAG
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.2V
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-XZMA-N260
电源电压-最大值(Vsup)
1.26V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.14V
内存大小
4GB
端口的数量
1
速度
3200MT/s
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
512MX64
内存宽度
64
记忆密度
34359738368 bit
访问模式
单库页面突发
长度
69.6mm
座位高度(最大)
30.13mm
宽度
2.5mm
RoHS状态
符合RoHS标准
MTA4ATF51264HZ-3G2E1拓展信息
Micron Technology Inc.
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