1011GN-1000V
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Microsemi 1011GN-1000V

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型号

1011GN-1000V

品牌

Microsemi

utmel 编号

1619-1011GN-1000V

商品类别

固定电感器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF POWER TRANSISTOR

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1011GN-1000V
1011GN-1000V Microsemi RF POWER TRANSISTOR

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1011GN-1000V详情

Microsemi 1011GN-1000V重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    氮化镓

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

  • Operating Temperature-Max

    250 °C

  • Manufacturer Part Number

    1011GN-1000V

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Microsemi Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.55

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • DS 击穿电压-最小值

    150 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最高频段

    L带

  • 环境耗散-最大值

    1830 W

  • 功率增益-最小值(Gp)

    19 dB

0个相似型号

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