1011GN-125E详情
Microsemi 1011GN-125E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
1011GN-125E
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.55
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
200 °C
Number of Elements
1
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XDFM-F2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
125 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频段
环境耗散-最大值
214 W
功率增益-最小值(Gp)
17.96 dB
1011GN-125E拓展信息
Microsemi
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