Microsemi APTM20HM08F

表面安装

NO

终端数量

12

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APTM20HM08F

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

Risk Rank

5.59

Drain Current-Max (ID)

208 A

Number of Elements

4

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-XUFM-X12

资历状况

不合格

配置

BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.008 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

832 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR