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技术文档
型号
MSAER57N10AR
品牌
Microsemi
utmel 编号
1619-MSAER57N10AR
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
HERMETIC SEALED, COOLPACK-3
起订量
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MSAER57N10AR详情
技术参数
Microsemi MSAER57N10AR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage-Input
100 ~ 240 VAC
Product Status
活跃
厂商
Autec 电力系统
Package
Case
Package Description
Package Style
小概要
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.19
Drain Current-Max (ID)
57 A
系列
DT120A (120W)
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
应用
ITE (Commercial)
功率(瓦特)
120 W
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-XDSO-N3
资历状况
不合格
效率
六级
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大输出电流
10A
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
输入类型
IEC 320-C14
电压 - 输出
12V
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
表格
Desktop
漏极-源极导通最大电阻
0.025 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
180 A
输出连接器
Stripped, Tinned Wire Leads
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
200 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
215 W
MSAER57N10AR拓展信息
公司资质
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