MICROSEMI CORP APT30GN60BDQ2

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

无铅代码

no

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247

最大耗散功率(Abs)

203W

接通时间

26 ns

集电极电流-最大值(IC)

63A

关断时间-标准值（toff)

255 ns

集电极-发射器电压-最大值

600V

栅极-发射极电压-最大值

30V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant