Microsemi Corporation 1N5186US
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1N5186US
1619-1N5186US
二极管 - 整流器 - 单
B, Axial
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DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
1最小包装量--
1N5186US详情
Microsemi Corporation 1N5186US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
17 Weeks
底架
Surface Mount, Through Hole
安装类型
通孔
包装/外壳
B, Axial
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
包装
Bulk
已出版
1997
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY, HIGH SURGE CAPABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
资历状况
不合格
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
2μA @ 100V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5V @ 9A
箱体转运
ISOLATED
正向电流
3A
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
输出电流-最大值
3A
最大反向电压(DC)
100V
平均整流电流
3A
相位的数量
1
反向恢复时间
150 ns
峰值反向电流
2μA
最大重复反向电压(Vrrm)
100V
峰值非恢复性浪涌电流
80A
辐射硬化
有
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
1N5186US拓展信息
Microsemi
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