Microsemi Corporation 1N5349BE3

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

T-18, Axial

二极管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

5W

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

容差

±5%

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

HTS代码

8541.10.00.50

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

1N5349

JESD-30代码

O-PALF-W2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

电压

12V

阻抗

2.5Ohm

电流

1A

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

2μA @ 8.6V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 1A

箱体转运

ISOLATED

阻抗-最大

2.5Ohm

参考电压

12V

齐纳电压

12V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant