Microsemi Corporation 1N5647

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

39V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W

Reverse Stand-off Voltage

31.6V

已出版

1997

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-65°C

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

资历状况

不合格

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

最大反向漏电电流

5μA

箝位电压

56.4V

峰值脉冲电流

26.5A

峰值脉冲功率

1.5kW

方向

单向

测试电流

1mA

Rep Pk反向电压-最大值

33.3V

JEDEC-95代码

DO-13

最大非代表峰值转速功率Dis

1500W

最小击穿电压

35.1V

辐射硬化

有

RoHS状态

Non-RoHS Compliant