Microsemi Corporation 1N5956BUR-1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AB, MELF

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.25W

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~175°C

包装

Bulk

已出版

1999

容差

±5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

1N5956

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

阻抗

1.2kOhm

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

1μA @ 152V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 200mA

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

1μA

阻抗-最大

1.2kOhm

参考电压

200V

齐纳电压

200V

最大电压允差

20%

工作测试电流

1.9mA

辐射硬化

有

RoHS状态

Non-RoHS Compliant