Microsemi Corporation 1N6133US

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Lead, Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

MELF

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

130V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W

已出版

1997

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

方向

双向

Rep Pk反向电压-最大值

98.8V

最大非代表峰值转速功率Dis

500W

击穿电压-最小值

117.33V

最大箝位电压

178.8V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant