Microsemi Corporation 1N6161US
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1N6161US
1619-1N6161US
TVS - 二极管
MELF
大陆
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Diode TVS Single Bi-Dir 47.1V 1.5KW 2-Pin G-MELF
1最小包装量--
1N6161US详情
Microsemi Corporation 1N6161US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
MELF
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3W
Reverse Stand-off Voltage
47.1V
包装
Bulk
已出版
1997
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
END
终端形式
环绕
元素配置
Single
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
ISOLATED
最大反向漏电电流
5μA
箝位电压
85.3V
峰值脉冲电流
17.6A
峰值脉冲功率
1.5kW
方向
双向
测试电流
20mA
最大非代表峰值转速功率Dis
1500W
最小击穿电压
58.9V
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
1N6161US拓展信息
Microsemi
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